19-я международная научно-техническая конференция «Вакуумная техника, материалы и технология»
Конференция пройдёт в городе Москве, ЦВК «Экспоцентр», павильон 5, с 01 по 03 апреля 2025 года. Конференция является частью деловой программы международной выставки вакуумного оборудования «VacuumTechExpo».
Научные направления конференции
- Физические явления в вакууме;
- Вакуумные системы, устройства и технологическое оборудование;
- Тонкопленочные покрытия и наноструктуры;
- Вакуумные технологии и аэрокосмический комплекс;
- Биомедицинские вакуумные технологии;
- Криогенная и криовакуумная техника;
- Криогенные технологии;
- Электровакуумные приборы и устройства.
Важные даты
- 24 января 2025 года - начало приёма заявок на участие в работе конференции;
- 10 марта 2025 года - окончание приема заявок на участие в работе конференции и тезисов докладов для подготовки программы конференции;
- 01 апреля 2025 года - начало работы конференции;
- 03 апреля 2025 года - окончание работы конференции;
- 15 мая 2025 года - окончание приема полных текстов докладов и документов для публикации материалов в сборнике трудов.
- 23 июня 2025 года - публикация полных текстов статей в журнале Вестник РВО
Программа конференции
01 апреля 2025 г.
11.00 – 11:45
Открытие.
11:45- 14:45
Секция 1.
ВАКУУМНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И ОБОРУДОВАНИЕ
1. Российское научно-техническое вакуумное общество им. академика С.А.Векшинского и международная выставочная компания - 20 лет сотрудничества
С.Б. Нестеров
2. Перспективы обеспечения технологического суверенитета России в вакуумном машиностроении
Е.Н. Капустин, А.Е. Капустин
3. Вакуумная техника и технологии - часть Национального технологического суверенитета или Частная инициативная самоотверженность?
Я.О. Желонкин
4. Применение кода “несветай” к моделированию пространственных течений разреженного газа
В.А. Титарев
5.Сравнительный анализ многозаходных и однозаходных спиральных насосов
К.И. Власенкова, А.А. Райков, А.В. Бурмистров, С.И. Саликеев
6.Температурные характеристики вакуумных насосов РУТС с многолопастными роторами
И.А Малин, А. А. Райков, С. И. Саликеев, А. В. Бурмистров
7. Technical advantages of magnetic levitation molecular pump
Chu Shuangjian
8. Изучение высокотемпературного поведения труднолетучих веществ в вакууме методом кнудсеновской эффузионной масс-спектрометрии
Н.А. Грибченкова, А.С. Смирнов
9. Система In-In2O3 как низкотемпературный источник газообразного оксида индия для молекулярно-лучевой эпитаксии по данным Кнудсеновской эффузионнной масс-спектрометрии
А.С. Смирнов, Н.А. Грибченкова
10. Инверсно-магнетронный вакуумметр Sensor One
И.Ф. Ханбеков
11. Высокоскоростной вакуумный транспорт
Д.А. Калинкин, С.Б. Нестеров
12. Определение степени готовности термовакуумной камеры к проведению тепловакуумных испытаний
А.Ю. Кочетков
13. Применение турбомолекулярного насоса к задачам газоразделения
В.В. Косьянчук
14. Моделирование течения разреженного газа в турбомолекулярном насосе и других устройствах с быстровращающимися поверхностями
А.Н. Якунчиков
15. Вакуумный имитатор солнца на основе светодиодов
А.А. Филатов, А.А. Кишалов, П.С. Смирнов, А.А. Моисеев, C.Б. Нестеров
16. Оптимизация запуска вакуумной системы: ключевые аспекты эффективной работы насосов
Мьо Чжо Хлаинг, Вей Мо Линн, Л. Л. Колесник
01 апреля 2025 г.
14:45 - 18:00
Секция 2
КРИОГЕННАЯ ТЕХНИКА И ТЕХНОЛОГИИ
1. Роторный волновой криогенератор как коммерчески эффективный аналог турбодетандера
А.С. Малахов, И.А. Архаров, В.Ю. Семенов, С.Б. Малахов
2. Применение квазипористых структур в установках газоразделения
И.А. Архаров, А.И. Миронов, А.Д. Малинникова, С.Д. Кулебякин
3.Общее криовоздействие на человека: взгляд инженера
А.В. Шакуров
4. Глубокий холод и инновации. Трубопроводы и клапаны с экранно-вакуумной изоляцией
А.А. Рыбалко
15.00 - 15.10
РОЗЫГРЫШ ПРИЗОВ ДЛЯ ПОСЕТИТЕЛЕЙ.
5. Исследование динамики изменения концентрации примесей при производстве ксенона в зависимости от времени и давления
Ч. Лю, М.Ю. Куприянов
6. Проект экспериментальной установки по получению криогенных мишеней из ксенона и криптона
М.В. Мурашкин
7. Гидродинамический расчёт тарельчатого контактного устройства ситчатого типа
Е.И. Юдин, Е.С. Навасардян
8. Особенности расчета коэффициента инжекции в циклах сжижения природного газа
М.А. Тиховидов, Е.С.Навасардян9. Описание криогенной адсорбции на активных углях теорией объёмного заполнения микропор
М.Ю. Куприянов, А.С. Мирошкин, Л. Ян
10. Контроль сорбата на охлажденной до криогенных температур поверхности в вакууме
Ю.В. Панфилов, Г.М. Сокол
11. Анализ нестационарных процессов в низкотемпературных теплообменниках с применением моделей с сосредоточенными параметрами
А.А. Казакова, Н.А. Лавров
12. Аналитический обзор методик расчёта турбонасоса жидкого водорода авиационного назначения
Архаров, Д.Н. Ильинская
13. Проектирование двухпоточных теплообменных аппаратов на основе трижды периодических минимальных поверхностей
Е.С. Навасардян, В.В. Доля
14. Процессы в системах хранения и подачи высокочистого инертного газа
А.В. Федоров, М.Ю. Куприянов
15. Новые методы создания композиционных материалов на основе естественного льда для решения широкого круга задач Арктического региона
Г.Ю. Гончарова
16 Особенности производства криогенного оборудования в условиях импортозамещения
Р.Н. Ризванов
2 апреля
10.15 – 13:00
Секция 3
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И ФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ. ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
1. Перспективы применения СТМР-датчиков в космических миссиях и навигации
С.В. Кирьянов, С.А. Аксенова, С.В. Сидорова
2. Островковые наноструктуры для газовых сенсоров
А.М. Наумова, С.В. Сидорова
3. Система комбинированных движений для оптимизации процессов в вакууме
А.М. Руденко, А.Д. Купцов, С.В. Сидорова
4. Антифрикционные износостойкие покрытия в системе Ti-Ni-Cr-Cu-C-N, полученные методом магнетронного распыления СВС-мишеней
Ф.В. Кирюханцев-Корнеев, А.Д. Чертова, Ю.С. Погожев, Е.А. Левашов
5. К вопросу о подаче кислорода при нанесении термобарьерных покрытий методом магнетронного распыления неохлаждаемой мишени
Г.В. Качалин, К.С. Медведев, В.А. Касьяненко
6. Структура и свойства пленок Zr-Ti-B-C и Nb-Ti-B-C с улучшенными термической стабильностью и электрофизическими свойствами
А.Д. Чертова, Е.А. Башкиров, Е.А. Левашов, Ф.В. Кирюханцев-Корнеев
7. Исследование влияния реактивного плазменного травления на структуру поверхности LTCC
С.А. Хохлун, С.В. Сидорова
8. Воздействие тлеющего разряда постоянного тока на химическую структуру и свойства поверхности плёнок аддитивногополиэтилиденнорборнена
А.В. Зиновьев, М.С. Пискарев, А.Б. Гильман, Д..А. Сырцова, А.И. Возняк, М.В. Бермешев,
Е.А. Скрылева, Б.Р. Сенатулин, А.К. Гатин, А.Ю. Алентьев, А.А. Кузнецов
9. Моделирование геометрии многослойнойостровковой тонкой пленки для СТМР-датчика
Е.С. Щербак, С.В. Сидорова
10. Формирование в вакууме композиционного островкового слоя для повышения электрической прочности конденсатора
И.Е. Пименов, С.В. Сидорова
12.00 - 12.10
РОЗЫГРЫШ ПРИЗОВ ДЛЯ ПОСЕТИТЕЛЕЙ.
11. Разработка комплекса для позиционирования и обработки подложек в вакууме
А.Д. Купцов, Г.А. Дьячков, А.М. Руденко, С.В. Сидорова
12. Исследование антифрикционных характеристик MоS2-покрытий при повышенной температуре в вакууме
А. И. Беликов, А. И. Илларионов, Н. М. Синявин
13. Модернизированный стенд поляризации ПВДФ пленки в плазме тлеющего разряда
А. Р. Зиннатуллин, Б. А. Басов, К. М. Моисеев
14. Универсальное решение для PVD-технологий: как одна установка может заменить несколько специализированных систем.
А.С.Кривенко, И.М. Глухов
15. Строение пленок CaF2, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si
А.Ф. Белянин, Н.И. Сушенцов
16. Формирование медных тонкопленочных электродов на пленках ПВДФ методом магнетронного распыления
К.А. Кислов, К.М. Моисеев
17. Выбор компоновоки вакуумного оборудования магнетронного нанесения покрытий на детали сложной формы на основе моделирования
А.И. Беликов
18. Разработка подложкодержателя с нагревом для установки магнетронного распыления
С.Ю. Хыдырова, В.А. Кулаков, С.С. Романов, Т.И. Мавлявиев, М.Г. Попков, И.С. Фетисов, К.М. Моисеев
19. Разработка технологической оснастки для кварцевого микровзешивания in SITU
С. Ю. Хыдырова, Б.Р. Гусейнов, И.С. Фетисов, Т.И. Мавлявиев, С.С. Романов, К.М. Моисеев
20. Оптимизация толщины защитного хромового покрытия оболочки ТВЭЛа
В.К. Егоров, Е.В. Егоров, Т.В. Сеткова
2 апреля
13.15 – 15:45
Секция 4
НАНОТЕХНОЛОГИЯ И БИОТЕХНОЛОГИЯ
1. Технологии минимизации десорбционных процессов в производстве ЭВП
А.В. Паращук, Е.П. Шешин
2. Модифицирование трековых мембран путем осаждения на их поверхности фторполимерных покрытий
Л.И. Кравец, М.Ю. Яблоков, М.А. Ярмоленко
3. Исследование поверхности углеродного волокна модифицированного наночастицами металлов
М.Р. Войтухов, Р.А. Цырков, Д.Ю. Кукушкин
4. Автокатоды на основе углеродных нанотрубок
Саи Тхвин Наинг Зо, Е.П. Шешин
5. Углероние материалы как автокатоды для электроных пушек
Чит Фон Паинг, Е.П. Шешин
6. Особенности автокатодов из углеродных фольг
Тхет Хму Маунг, Е.П. Шешин
7. Органические солнечные элементы с углеродными наноструктурами
Д.В. Новиков, С.В. Сидорова
8. Исследование влияния наноструктурирования электродного материала на характеристики суперконденсатора
Д.Ю. Кукушкин, В.В. Слепцов, А.О. Дителева, Р.А. Цырков
9. Математическое моделирование электроимпульсного метода получения нанодисперсных систем в жидких средах
Р.А. Цырков, Д.Ю. Кукушкин, А.О. Дителева, В.В. Слепцов
10. Обработка в тлеющем разряде постоянного тока – эффективный способ модификации поверхности сверхвысокомолекулярного полиэтилена
М.С. Пискарев, А.В. Зиновьев, Е.К. Голубев, А.Б. Гильман, А.А. Кузнецов, А.Н. Озерин
2 апреля
15:45
ПРЕЗЕНТАЦИЯ РАБОТ НА КОНКУРС
16:00 - 16.10
РОЗЫГРЫШ ПРИЗОВ ДЛЯ ПОСЕТИТЕЛЕЙ
3 апреля
11:00 -12:30
НАГРАЖДЕНИЕ УЧАСТНИКОВ КОНКУРСА
12.30 - 12.40
РОЗЫГРЫШ ПРИЗОВ ДЛЯ ПОСЕТИТЕЛЕЙ
Требования к материалам
Представляемые на конференции материалы должны содержать новые научные результаты, полученные лично авторами.
Структура публикации
Объем тезисов не более 1 страницы. Рекомендуемый объем статьи от 5 до 7 страниц.
Рекомендуется придерживаться следующей структуры статьи:
- вводная часть (актуальность, существующие проблемы);
- постановка и описание задачи;
- методика исследования;
- изложение и обсуждение основных результатов;
- заключительная часть (предложения, выводы).
Состав подаваемых материалов
Для включения в программу конференции в организационный комитет конференции подаются:
- тезисы, оформленные в соответствии с правилами оформления;
- сведения об авторах и докладчике.
Для публикации в сборнике трудов в организационный комитет конференции подаются:
- статья, оформленная в соответствии с правилами оформления;
- файлы иллюстраций;
- экспертное заключение о возможности опубликования материалов в открытой печати, оформленное в организации, где выполнялась работа;
- лицензионное соглашение на передачу права опубликования статьи, оформленное на ООО «РВО»;
- согласие на обработку персональных данных, оформленное на ООО «РВО».
Лицензионное соглашение оформляется на каждую подаваемую статью для всех авторов. Каждый автор статьи должен подписать свой экземпляр лицензионного соглашения.
Согласие на обработку персональных данных оформляется на каждого участника конференции.
Если автор представлен в нескольких статьях, то его согласие оформляется один раз.
Если автор уже участвовал в наших конференциях и подавал согласие об обработке персональных данных, то повторно оформлять согласие не требуется.
Как подготовить материалы к публикации
Для подготовки тезисов доклада и статьи необходимо использовать Microsoft Word 2010 или более новый. Формат файлов — docx.
Оформление текста статьи должно делаться с помощью стилий оформления, без использования кнопок форматирования текста, расположенных ленте инструментов программы.
Для подготовки текстов рекомендуется использовать подготовленный файл шаблона статьи. Он содержит уже настроенные стили и существенно сократит время, необходимое для подготовки материалов, как для авторов, так и для сборника в целом.
Ссылку для скачивания шаблона статьи вы найдете ниже, после описания правил форматирования.
Заголовок статьи
Заголовок статьи оформляется с использоваением стиля «Заголовок 2». Стиль настроен таким образом, что все буквы будут прописными вне зависимости от регистра набора.
Авторы статьи
Для указания авторов статьи используйте стиль «Авторы статьи».
Авторы статьи указываются как буквы инициалов и фамилия. Между инициалами и фамилией ставится пробел. Не указывайте здесь сведения о местах работы. Эта информация будет указана в конце, в соответствующем разделе.
Если авторов несколько, укажите их всех черех запятую.
Заголовок раздела статьи
Для заголовков разделов статьи используйте стиль «Раздел статьи». Это требование относится ко всем заголовкам разделов: аннотация, ключевые слова, сами разделы текста, литература, сведения об авторах.
Аннотация
Текст аннотации оформляется с использованием стиля «Аннотация».
Ключевые слова
Ключевые слова разделяются запятой. После ключевых слов точка не ставится.
Для оформления ключевых слов используйте стиль «Ключевые слова». Стиль настроен таким образом, что все буквы будут прописными вне зависимости от регистра набора. Тем не менее, просьба набирать ключевые слова прописными буквами (с нажатой клавишей Caps Lock). Это небходимо для правильной индексации статей.
Текст статьи
Для текста статьи необходимо использовать стиль «Основной текст».
Для формул необходимо использовать стиль «Формула».
Абзац после формулы, если формула не завершает предложения, не должен иметь отступа в первой строке. В этом случае используйте стиль «Основной текст после формулы».
Рисунки
Не допускается размещение рисунков по якорю и указание обтекания текстом. Для рисунка должны использоваться параметры разметки «В тексте». Рисунки должны иметь стиль «Рисунок».
Название рисунка оформляется стилем «Название рисунка». Название рисунка должно начинаться с его номера, предваряемого сокращением «Рис.». Между сокращением «Рис.» и номером рисунка должен быть пробел. Также должен быть пробел между номером рисунка и его названием. Если название рисунка состоит из одного предложения, точка в конце не ставится. Если название рисунка состоит из нескольких предложений, то точка не ставится в конце последнего предложения.
В том случае, если на рисунке есть номера позиций или обозначения, они должны быть раскрыты до названия рисунка.
Если вам необходимо разместить два рисунка рядом, используйте табличную разметку с невидимыми границами.
На все рисунки обязательно должны быть даны ссылки в тексте статьи. Рисунок должен располагаться после такой ссылки, но не далее следующей страницы.
Помимо расположения рисунка в тексте статьи каждый рисунок должен быть представлен отдельным файлом. Файлы с рисунками должны соответствовать требованиям:
- Растровые изображения: минимальное разрешение 600 dpi
- Векторная графика: в кривых в формате cdr, eps, svg.
Внутририсуночные надписи должны быть выполнены на русском языке, в одном стиле с основным текстом.
Изображения с экрана должны быть представлены с максимально возможным разрешением. При работе с ними необходимо обратить внимание на фон (картинка не должна быть тёмной) и чёткость изображения.
Нельзя использовать рисунки в формате Word, а также сохранённые из Wordа во внешний файл. Рисунок должен быть вставлен в Word из подготовленного по всем требованиям файла, а не наоборот.
Благодарности и источники финансирования
Если в статье необходимо дать ссылку на источник финансирования или выразить благодарность за помощь в подготовке результатов, сделайте это в конце статьи. Для этого используйте стиль «Источники финансирования».
Сведения об авторах
В конце статьи необходимо указать сведения об авторах:
- фамилию, имя, отчество — полностью;
- ученую степень, ученое звание (при наличии);
- номер ORCID (если у вас нет номер ORCID, его необходимо получить на сайте orcid.org; этот номер необходим для индексации материалах в международных базах статей);
- место работы;
- почтовый адрес (минимально город и регион, можно полностью);
- адрес электронной почты.