Российское вакуумное общество имени академика С.А. Векшинского
105005, г. Москва, ул. Радио, д. 12, стр. 2
+7 (495) 943-1764 +7 (901) 593-1764
info@vacuum.org.ru
Версия для слабовидящих
  2. Конференции
  3. Международная научно-техническая конференция «Вакуумная техника, материалы и технология»

17-я международная научно-техническая конференция «Вакуумная техника, материалы и технология»

Приглашаем принять участие в работе 17-й международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология».

Конференция пройдёт в городе Москве, на ВДНХ пав. 57, с 11 по 13 апреля 2023 года. Конференция является частью деловой программы международной выставки вакуумного оборудования «VacuumTechExpo».
17-я международная научно-техническая конференция «Вакуумная техника, материалы и технология»
К началу работы конференции будет издана программа работы конференции.

По итогам работы конференции будет издан сборник трудов, индексируемый в  Российском индексе научного цитирования.

Научные направления конференции

  • Физические явления в вакууме;
  • Вакуумные системы, устройства и технологическое оборудование;
  • Тонкопленочные покрытия и наноструктуры;
  • Вакуумные технологии и аэрокосмический комплекс;
  • Биомедицинские вакуумные технологии;
  • Криогенная и криовакуумная техника;
  • Электровакуумные приборы и устройства.

Важные даты

  • 01 февраля 2023 года - начало приёма заявок на участие в работе конференции;
  • 25 марта 2023 года - окончание приема заявок на участие в работе конференции и тезисов докладов для подготовки программы конференции;
  • 11 апреля 2023 года - начало работы конференции;
  • 13 апреля 2023 года - окончание работы конференции;
  • 17 апреля 2023 года - окончание приема полных текстов докладов и документов для публикации материалов в сборнике трудов.
  • 30 апреля 2023 года - выпуск сборника трудов конференции и публикация материалов на сайте Российского вакуумного общества.

Программа конференции

Секция 1. Вакуумные технологии и оборудование
11 апреля 2023 года, 13:00

  1. Российское научно-техническое вакуумное общество имени академика С.А. Векшинского сегодня. С.Б. Нестеров. РНТВО им. академика С.А. Векшинского, г. Москва.

  2. Вакууммашу - 80! Гордимся прошлым. Создаем будущее! Е.Н. Капустин. АО "Вакууммаш". г.Казань.

  3. "Послезавтра" вакуумных технологий. Я.О. Желонкин. ООО "ФЕРРИ ВАТТ", г. Казань.

  4. Вакуумные методы получения пленок. Д.Е. Шашин, Н.И. Сушенцов. Поволжский государственный технологический университет, г. Йошкар-Ола, Республика Марий Эл.

  5. Вакуумная импрегнация очищенного костного матрикса лекарственными средствами. А.В. Гаврилов, Р.Н. Максудов, В.А. Аляев. КНИТУ, г. Казань.

  6. Термометрирование двухроторного вакуумного насоса типа РУТС. А.А. Исаев, А.А. Райков, А.В. Бурмистров, С.И. Саликеев. КНИТУ, г. Казань.

  7. Расчет характеристик вакуумного насоса типа РУТС с трехлепестковым профилем роторов. И.А. Малин, А.А. Райков, А.В. Бурмистров, С.И. Саликеев. КНИТУ, г. Казань

  8. Излучательная способность чистых металлов, включая область фазового перехода твердое тело – жидкость. Д.В. Косенков, Н.Ю. Косенкова, В.В. Сагадеев, В.А. Аляев. КНИТУ, г. Казань.

  9. Длительность сверхвысоковакуумной откачки. Ю.В. Панфилов. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г.Москва.

  10. Вакуумная электронно-лучевая установка. А.В. Хошев, Е.В. Аверьянов, В.В. Одиноков, Д.А.Костюков, А.А. Овцын. НИИТМ, г. Зеленоград, Московской обл.

  11. Перспективные миссии Роскосмоса: анализ требований к стендам тепловакуумных испытаний. Д. Е. Алфимов, С. Б. Нестеров, А. А. Филатов. ООО"НПО" Группа компаний приборостроения и машиностроения", г. Москва, РНТВО им. академика С.А. Векшинского, г. Москва, ООО "Гелиосфера", г. Санкт-Петербург.

  12. Испытания на герметичность сварных швов термовакуумных установок способом накладной камеры (вакуумные присоски) с чувствительностью не менее 6.62 10 (-9) м3 Па/с. Е.В. Жировов, А.М.Зверев, В.А. Кобзев, И.А. Лозанов, К.В. Сметанин, Ф.А. Феимов, А.С. Шавин, С.Б. Нестеров. АО "Криогенмонтаж", г. Москва. РНТВО им. академика С.А. Векшинского, г. Москва.

  13. Развитие высоковакуумных турбомолекулярных насосов. Н.К. Никулин. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва.

  14. Результаты расчета изменения давления в объеме миниатюрного ЭВП безштенгельного типа в процессе его вакуумирования. С.А. Бушин, С.Г. Давыдов, В.О. Ревазов, Р.Х. Якубов. ВНИИА им. Н.Л. Духова, г. Москва.

  15. Проекты, реализованные ГК "Криосистемы". Л.В. Шпикалов. ООО "Современное вакуумное оборудование", г. Москва.

  16. Реконструкция и техническое перевооружение вакуумной камеры ВК-48 на территории АО «НПО Лавочкина». П.Н. Берёзко, А.Ю. Кочетков. АО «НПО Лавочкина», г. Химки Московской обл.

  17. Основные характеристики вакуумной системы для разделения изотопов бора при помощи метода лазерного торможения конденсации в переохлаждённом газовом потоке. К.А. Ляхов. Математический институт им. Стеклова, г. Москва.

  18. Основы обезгаживания СВВ оборудования различными методами. Д. Копытов, И.Х. Ханбеков, Е.А. Деулин, Р.О. Емельяненко, Ю. Веренкова. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г.Москва. ООО «ЮэйчВакуум», АО «Плутон», МГТУ им. Н.Э. Баумана, г.Москва.

  19. Вакуумный привод с электрореологическим управлением. Д.С. Шахов, В.П. Михайлов, А.М. Базиненков, М.Е. Жуков. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г.Москва.

  20. Повышение связности территории страны посредством инфраструктуры интегральной транспортной системы (ИТТС) на базе вакуумного магнитолевитационного транспорта(ВМЛТ). Современное состояние вопроса. Ю.А. Терентьев. Независимый эксперт, г. Москва.

Секция 2. Новые технологии формирования тонких пленок. Методики исследования. Технологическое оборудование
12 апреля 2023 года, 10:30

  1. Генерация и управление энергией ионов в комбинированном режиме распыления графита. В.О. Оскирко, А.Н. Захаров, А.П. Павлов, А.А. Соловьев, В.А. Семенов, М.И. Ажгихин. Институт сильноточной электроники СО РАН, г.Томск

  2. Управление энергетическим воздействием на подложку путем изменения параметров импульсов электропитания магнетронной распылительной системы. В.О. Оскирко, А.Н. Захаров, А.С. Гренадёров, А.А. Соловьев, В.А. Семенов. Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск.

  3. Планарный магнетрон с ускорением инжектируемых электронов в катодном слое. М.В. Шандриков, А.А. Черкасов, В.О. Оскирко. Институт сильноточной электроники СО РАН, г.Томск, ООО «Прикладная электроника», г. Томск.

  4. Прозрачные электроды с модулированным легированием. Достижения и прогнозы. А.Х. Абдуев, А.Ш. Асваров, А.К. Ахмедов, В.В. Беляев, Д.В. Николаева, Д.В. Генералов, Е. А.Сметанин. Институт физики Дагестанского научного центра РАН, г. Махачкала, Дагестанский научный центр РАН, г. Махачкала, Дагестанский государственный университет, г. Махачкала.

  5. Распределение элементов по толщине в плёнках YBa2Cu3O7-, осаждённых с использованием импульсного эксимерного лазера. В.К. Егоров, А.И. Ильин, А.А. Иванов, Е.В. Егоров. Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, г. Черноголовка Московской обл. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва. Институт радиотехники и электроники РАН, г. Фрязино Московская обл.

  6. Изучение влияния технологических условий формирования алмазоподобных углеродсодержащих покрытий методом импульсного сильноточного магнетронного распыления на их структуру. Л. Л. Колесник. МГТУ им. Н.Э. Баумана.

  7. Тепловой процесс на подложке при распылении сэндвич мишени Cu/Ti. В.И. Шаповалов. ЛЭТИ, г.С.-Петербург.

  8. Разработка процесса осаждения пленок диоксида кремния с воспроизводимыми фотонно-кристаллическими свойствами. О.М. Медведева, Е.В.Панфилова. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва.

  9. Оценка влияния предварительной обработки на формирование тонкопленочных покрытий с малыми значениями остаточных напряжений. А.Д. Купцов, С.В. Сидорова. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва.

  10. Островковые тонкие пленки для модификации активного слоя мемристора. Н.О. Юркин, С.В. Сидорова. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва.

  11. Исследование особенностей формирования островковых тонких пленок кобальта для внедрения в устройства наноэлектроники. С.В. Кирьянов, С.В. Сидорова. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г.Москва.

  12. Решение нестационарных задач об истечении и теплообмене в разреженном газе с учетом многоатомных молекул и подвижности границы расчетной области. А.Н. Якунчиков. Механико-математический факультет им. М. В. Ломоносова.

  13. Исследование структуры сверхпроводящих пленок WSi для SSPD. Д.Д. Платонов, В.А.Желтиков, С.Ю.Хадырова, К.М. Моисеев. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва.

  14. Зависимость плотности тонкой пленки WSi от режима нанесения. Д.Д. Платонов. МГТУ им. Н.Э.Баумана, г. Москва.

Секция 3. Нанотехнология и биотехнология
12 апреля 2023 года. 14:00

  1. Пленки графита, графена и углеродных наностенок. А.Ф. Белянин, П.В. Пащенко, Е.Р. Павлюкова, А.Л. Талис. МИРЭА – РТУ, инновационно-инжиниринговый центр, г. Москва. НИИ ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, г. Москва, Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН, г. Москва.

  2. Формирование магнетронным распылением металлодиэлектрических нанокомпозитов на основе опаловых матриц. А.Ф. Белянин, П.В. Пащенко, В.В. Борисов, А.Н. Рябинкин, А.О. Серов, М.А. Тимофеев. МИРЭА – РТУ, инновационно-инжиниринговый центр, г. Москва. НИИ ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва.

  3. Влияние модифицирования в разряде 40 кГц на газоразделительные свойства поливинилтриметилсилана. А.В. Зиновьев, М.С. Пискарев, А.Б. Гильман, А.А. Кузнецов. ИСПМ им. Н.С. Ениколопова РАН, г. Москва.

  4. Изменение химического состава поверхности пленок полиэтиленнафталата и поликетона под воздействием низкотемпературной плазмы. М.С. Пискарев, А.В. Зиновьев, Е.А. Скрылева, Б.Р. Сенатулин, А.Б. Гильман, А.А. Кузнецов. Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН, г. Москва. НИТУ «МИСиС», г. Москва.

  5. Микрофокусные рентгеновские трубки с автоэмиссионными катодами. А.И. Таикин, Е.П. Шешин, Мань Фунг Дык, Московский физико-технический институт, г. Долгопрудный, Московская обл.

  6. Компьютерное моделирование электронно-пучковой плазмы форвакуумного давления. Г.Б. Бузин, Т.М. Васильева. Московский физико-технический институт, г. Долгопрудный, Московской обл. Объединенный институт высоких температур РАН, г. Долгопрудный, Московской обл.

  7. Экспериментальная установка для исследования конверсии газов в электронно-пучковой плазме. М.К. Никитин, Т.М. Васильева. Московский физико-технический институт, г.Долгопрудный, Московской обл. Объединенный институт высоких температур РАН, г.Долгопрудный, Московской обл.

  8. Генерация электронно-пучковой плазмы форвакуумного давления в замкнутом объеме. Ч.В. Дык, М.Н. Васильев. Московский физико-технический институт, г. Долгопрудный, Московской обл. Объединенный институт высоких температур РАН, г. Долгопрудный, Московской обл.

  9. Моделирование процесса ионной имплантации углерода и кислорода в хитозан для создания биоэлектронных сенсоров. О.А. Сильницкая, В.М. Елинсон, В.А. Кочетов, В.В. Мурныкина. ФГБОУ ВО МАИ, г. Москва.

  10. Формирование на поверхности трековых мембран высоко- и супергидрофобных полимерных покрытий и исследование их устойчивости в воде и водно-солевых растворах. Л.И. Кравец, М.А. Кувайцева, М.А. Ярмоленко, Р.В. Гайнутдинов, М.Ю. Яблоков. Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл. Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины, г. Гомель. ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, г. Москва. Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН, г. Москва.

  11. Электроимпульсная модификация углеродных волокон наночастицами металлов. А.О. Дителева, В.В. Слепцов, Р.А. Цырков, Д.Ю. Кукушкин, С.В. Мацыкин. ФГБОУ ВО МАИ, г. Москва.

  12. Моделирование магнетронного осаждения покрытий на детали сложной формы. А.И. Беликов, О.Э. оглы Алиханов. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва.

  13. Исследование диаметра электронного пучка ЭЛП ЭЛТА-60.15 ДП на установке ЭЛО «Луч». Я. Чжо, В.Н. Масловский, К.А. Махкамбоев, К.М. Моисеев. МГТУ им. Н.Э.Баумана, г. Москва.

  14. Ионно-плазменная обработка в вакууме эластичных материалов. А.А. Фельде, С.В.Сидорова, П.А. Ежова. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г.Москва.

  15. Отработка процесса осаждения фотонно-кристаллических коллоидных пленок на обработанные в плазме гибкие подложки методом SPIN-COATING. К.Р. Минько, Е.В. Панфилова, А.Р. Ибрагимов. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва.

  16. Технология очистки стеклянных подложек в плазме тлеющего разряда для применения в микрофлюидике. Д.М. Работяжева. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва.

  17. Вакуумное ионно-плазменное травление при формировании элементов микроэлектроники. И.Е. Пименов, С.В. Сидорова. МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва.

  18. Факторы, влияющие на антиадгезионные свойства фторуглеродных покрытий на полиэтилентерефталате. В.М. Елинсон, П.А. Щур, Т.В. Ходырев. МАИ, г. Москва.

Требования к материалам

Представляемые на конференции материалы должны содержать новые научные результаты,  полученные лично авторами.

Структура публикации

Объем тезисов не более 1 страницы. Рекомендуемый объем статьи от 5 до 7 страниц.

Рекомендуется придерживаться следующей структуры статьи:

  • вводная часть (актуальность, существующие проблемы);
  • постановка и описание задачи;
  • методика исследования;
  • изложение и обсуждение основных результатов;
  • заключительная часть (предложения, выводы).

Состав подаваемых материалов

Для включения в программу конференции в организационный комитет конференции подаются:

  • тезисы, оформленные в соответствии с правилами оформления;
  • сведения об авторах и докладчике.

Для публикации в сборнике трудов в организационный комитет конференции подаются:

  • статья, оформленная в соответствии с правилами оформления;
  • файлы иллюстраций;
  • экспертное заключение о возможности опубликования материалов в открытой печати, оформленное в организации, где выполнялась работа;
  • лицензионное соглашение на передачу права опубликования статьи, оформленное на ООО «РВО»;
  • согласие на обработку персональных данных, оформленное на ООО «РВО».

Лицензионное соглашение оформляется на каждую подаваемую статью для всех авторов. Каждый автор статьи должен подписать свой экземпляр лицензионного соглашения.

Согласие на обработку персональных данных оформляется на каждого участника конференции.

Если автор представлен в нескольких статьях, то его согласие оформляется один раз.

Если автор уже участвовал в наших конференциях и подавал согласие об обработке персональных данных, то повторно оформлять согласие не требуется.

Как подготовить материалы к публикации

Для подготовки тезисов доклада и статьи необходимо использовать Microsoft Word 2010 или более новый. Формат файлов — docx.

Оформление текста статьи должно делаться с помощью стилий оформления, без использования кнопок форматирования текста, расположенных ленте инструментов программы.

Для подготовки текстов рекомендуется использовать подготовленный файл шаблона статьи. Он содержит уже настроенные стили и существенно сократит время, необходимое для подготовки материалов, как для авторов, так и для сборника в целом.

Ссылку для скачивания шаблона статьи вы найдете ниже, после описания правил форматирования.

Заголовок статьи

Заголовок статьи оформляется с использоваением стиля «Заголовок 2». Стиль настроен таким образом, что все буквы будут прописными вне зависимости от регистра набора.

Авторы статьи

Для указания авторов статьи используйте стиль «Авторы статьи».

Авторы статьи указываются как буквы инициалов и фамилия. Между инициалами и фамилией ставится пробел. Не указывайте здесь сведения о местах работы. Эта информация будет указана в конце, в соответствующем разделе.

Если авторов несколько, укажите их всех черех запятую.

Заголовок раздела статьи

Для заголовков разделов статьи используйте стиль «Раздел статьи». Это требование относится ко всем заголовкам разделов: аннотация, ключевые слова, сами разделы текста, литература, сведения об авторах.

Аннотация

Текст аннотации оформляется с использованием стиля «Аннотация».

Ключевые слова

Ключевые слова разделяются запятой. После ключевых слов точка не ставится.

Для оформления ключевых слов используйте стиль «Ключевые слова». Стиль настроен таким образом, что все буквы будут прописными вне зависимости от регистра набора. Тем не менее, просьба набирать ключевые слова прописными буквами (с нажатой клавишей Caps Lock). Это небходимо для правильной индексации статей.

Текст статьи

Для текста статьи необходимо использовать стиль «Основной текст».

Для формул необходимо использовать стиль «Формула».

Абзац после формулы, если формула не завершает предложения, не должен иметь отступа в первой строке. В этом случае используйте стиль «Основной текст после формулы».

Рисунки

Не допускается размещение рисунков по якорю и указание обтекания текстом. Для рисунка должны использоваться параметры разметки «В тексте». Рисунки должны иметь стиль «Рисунок».

Название рисунка оформляется стилем «Название рисунка». Название рисунка должно начинаться с его номера, предваряемого сокращением «Рис.». Между сокращением «Рис.» и номером рисунка должен быть пробел. Также должен быть пробел между номером рисунка и его названием. Если название рисунка состоит из одного предложения, точка в конце не ставится. Если название рисунка состоит из нескольких предложений, то точка не ставится в конце последнего предложения.

В том случае, если на рисунке есть номера позиций или обозначения, они должны быть раскрыты до названия рисунка.

Если вам необходимо разместить два рисунка рядом, используйте табличную разметку с невидимыми границами.

На все рисунки обязательно должны быть даны ссылки в тексте статьи. Рисунок должен располагаться после такой ссылки, но не далее следующей страницы.

Помимо расположения рисунка в тексте статьи каждый рисунок должен быть представлен отдельным файлом. Файлы с рисунками должны соответствовать требованиям:

  • Растровые изображения: минимальное разрешение 600 dpi
  • Векторная графика: в кривых в формате cdr, eps, svg.

Внутририсуночные надписи должны быть выполнены на русском языке, в одном стиле с основным текстом.

Изображения с экрана должны быть представлены с максимально возможным разрешением. При работе с ними необходимо обратить внимание на фон (картинка не должна быть тёмной) и чёткость изображения.

Нельзя использовать рисунки в формате Word, а также сохранённые из Wordа во внешний файл. Рисунок должен быть вставлен в Word из подготовленного по всем требованиям файла, а не наоборот.

Благодарности и источники финансирования

Если в статье необходимо дать ссылку на источник финансирования или выразить благодарность за помощь в подготовке результатов, сделайте это в конце статьи. Для этого используйте стиль «Источники финансирования».

Сведения об авторах

В конце статьи необходимо указать сведения об авторах:

  • фамилию, имя, отчество — полностью;
  • ученую степень, ученое звание (при наличии);
  • номер ORCID (если у вас нет номер ORCID, его необходимо получить на сайте orcid.org; этот номер необходим для индексации материалах в международных базах статей);
  • место работы;
  • почтовый адрес (минимально город и регион, можно полностью);
  • адрес электронной почты.

Контакты

По вопросам участия и публикации сборника трудов

Ларюшкина Анна Анатольевна
e-mail: info@vacuum.org.ru
Телефон: +7 (905) 140-10-00

По общим вопросам, в том числе во время работы конференции

Колесник Леонид Леонидович
Телефон: +7 (495) 943-17-64, +7 (901) 593-17-64