Аномальное резистивное переключение VO2 в гетерогенной структуре оксидов ванадия

Ключевые слова: тонкие пленки, резистивные переключения, мемристор, оксиды ванадия

Аннотация

Вакуумный отжиг монокристалла V2O5(010) приводит к образованию фаз Wadsley и VO2. Со-противление изменяется в 20 раз при 342 К, что соответствует фазовому переходу металл-изолятор в VO2.Предложен механизм перехода при аномально низком напряжении на основе протекания тока по перколяционным путям систем кристаллитов VO2 и V6O13.

Keywords: thin films, resistive switching, memristor, vanadium oxides

Abstract

Vacuum annealing a V2O5(010) single crystal results in Wadsley phases and VO2. The resistance changes by a factor of 20 at 342 K, corresponding to the metal-to-insulator phase transition of VO2. A mechanism of the transition at an anomalously low voltage based on the current in the percolation paths of the systems of VO2 and V6O13 crystallites is proposed.