Исследование влияния режимов вакуумного осаждения на скорость роста пленок MoS2

Ключевые слова:

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния рабочего давления и мощности разряда на скорость роста тонких пленок дисульфида молибденана подложках кремния при магнетронном распылении мишени в вакууме. На основании экспериментальных данных разработана эмпирическая модель, связывающая скорость роста пленки с давлением аргона и мощностью разряда на магнетронной распылительной системе.

Keywords:

Abstract

The research results of the working pressure and discharge power influence on the growth rate of of molybdenum disulfide thin films on silicon substrates during magnetron sputtering of the target in vacuum are presented. Based on experimental data, an empirical model has been developed that relates the film growth rate to argon pressure and discharge power on a magnetron sputtering system.