Исследование WSi и NbN сверхпроводниковых однофотонных детекторов в ближнем инфракрасном диапазоне

Моисеев К.М., Васильев Д.Д., Малеванная Е.И., Антипов А.В. , Вахтомин Ю.Б. , Смирнов К.В. , Селезнёв В.А., Морозов П.В.
Ключевые слова:

Аннотация

Проведены исследования спектральных характеристик сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе ультратонких плёнок WSi и NbN с поверхностным сопротивлением от300 до 500 Ом/квадрат и шириной нанопроводов от 80 до 100 нм в диапазоне дли волн от 1300 до 2500 нм. WSi  структуры с наиболее узкой шириной нанопроводов продемонстрировали наилучшие характеристики для регистрации одиночных фотонов в более длинноволновой части спектра. Разница в нормированном числе отсчётов для таких структур достигла одного порядка на длине волны 2500 нм в сравнении со структурами на основе NbN ультратонких плёнок.

Investigation of WSi and NbN superconducting single-photon detectors in mid-IR range.

Moiseev K.M., Vasiliev D.D., E.I. Malevannaya, A.V. Antipov, Y.B. Vakhtomin, K.V. Smirnov, V.A. Seleznev, P.V. Morozov
Keywords:

Abstract

Spectral characteristics of WSi and NbN superconducting single-photon detectors with different surface resistance and width of nanowire strips have been investigated in the wavelength range of 1.3-2.5 mkm. WSi structures with narrower strips demonstrated better performance for detection of single photons in a longer wavelength range. The difference in normalized photon count rate for such structures reaches one order of magnitude higher in comparison with structures based on NbN thin films at 2.5 mkm.