Исследование WSi и NbN сверхпроводниковых однофотонных детекторов в ближнем инфракрасном диапазоне
Моисеев К.М., Васильев Д.Д., Малеванная Е.И., Антипов А.В. , Вахтомин Ю.Б. , Смирнов К.В. , Селезнёв В.А., Морозов П.В.
Ключевые слова:
Аннотация
Проведены исследования спектральных характеристик сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе ультратонких плёнок WSi и NbN с поверхностным сопротивлением от300 до 500 Ом/квадрат и шириной нанопроводов от 80 до 100 нм в диапазоне дли волн от 1300 до 2500 нм. WSi структуры с наиболее узкой шириной нанопроводов продемонстрировали наилучшие характеристики для регистрации одиночных фотонов в более длинноволновой части спектра. Разница в нормированном числе отсчётов для таких структур достигла одного порядка на длине волны 2500 нм в сравнении со структурами на основе NbN ультратонких плёнок.Investigation of WSi and NbN superconducting single-photon detectors in mid-IR range.
Moiseev K.M., Vasiliev D.D., E.I. Malevannaya, A.V. Antipov, Y.B. Vakhtomin, K.V. Smirnov, V.A. Seleznev, P.V. Morozov
Keywords: