Обеспечение равномерности толщины ультратонких плёнок WSi при магнетронном распылении из двух источников

Ключевые слова:

Аннотация

Для достижения высоких выходных характеристик однофотонных детекторов на основе плёнок WSi необходима высокая равномерность толщины плёнки более 95%.В работе представлено проведенное на основании экспериментально определенного потока от одного магнетрона математическое моделирование неравномерности толщины ультратонких плёнокWSi, формируемых магнетронным распылением из двух источников, в зависимости от расположения магнетронов относительно подложкодержателя. По результатам моделирования неравномерности выдвинуты требования к конструкции и расположению в камере магнетронного узла, при которых обеспечивается требуемая неравномерность толщины плёнки менее 5%.

Keywords:

Abstract

To achieve high characteristics of single-photon detectors based on WSi thin films it is necessary to provide high film thickness uniformity more than 95%. This paper presents a mathematical modeling of the thickness uniformity of an ultra-thin film formed by magnetron sputtering from two sources, based on an experimentally determined mass flow from a single magnetron, depending on the location of the magnetrons relative to the substrate holder. According to the results of non-uniformity modeling, the requirements for the design and location of the magnetron unit in the chamber were made, which ensured the required non-uniformity of the film thickness of less than 5%.