Разработка узла с двумя источниками магнетронного распыления для формирования ультратонких покрытий Wsi для SNSPD

Ключевые слова:

Аннотация

В статье приведена конструкция узла, состоящего из двух источников магнетронного распыления, с возможностью регулирования угла наклона источников, разработанная специально для повышения равномерности ультратонких покрытий WSi. Сконструирован новый источник магнетронного распыления с косвенным охлаждением и мишенью диаметром 2”. Представлены 3D модели конструкций.

Keywords:

Abstract

The article describes the design of the assembly consisting of two magnetron sputtering sources, with the ability to control the angle of inclination of the sources, designed specifically to increase the uniformity of WSi ultrathin films. A new magnetron sputtering source with indirect cooling and a 2”target was designed. 3D models of constructions are presented.