Исследование зависимости скорости травления сверхпроводящих покрытий WSi от напряжения на сеточном источнике ионов

Ключевые слова:

Аннотация

В работе проведено измерение массы двухкомпонентного покрытия WSi при формировании методом магнетронного распыления из двух источников. Измерена скорость травления массы покрытия в зависимости от напряжения на сеточном источнике ионов. Полученные результаты являются подготовительными для разработки комплексной технологии формирования ультратонких сверхпроводящих покрытий WSi с заданными свойствами.

Keywords:

Abstract

The mass of the two-component coating WSi deposited by magnetron co-sputtering is measured. The etching rate of the coating mass as a function of the voltage at the grid ion source is measured. Obtained results are preliminary for developing of the complete technology for deposition of the ultrathin superconducting WSi coatings with required properties.