Исследование характеристик ультратонких сверхпроводящих пленок WSi

Ключевые слова:

Аннотация

В работе проведено исследование сверхпроводящих характеристик тонких плёнок WSi для их дальнейшего использования в сверхпроводниковых однофотонных детекторах (SSPD). Представлены зависимости критической температуры Tc, поверхностного сопротивления Rs, ширины сверхпроводящего перехода dTc, коэффициента остаточного удельного сопротивления RRR от процентного соотношения компонентов и толщины тонкой плёнки WSi.

Keywords:

Abstract

The paper presents the investigation of the superconducting characteristics of thin WSi films which can be used in superconducting single photon detectors (SSPD). The dependences of the critical temperature Tc, the surface resistance Rs, the width of the superconducting transition dTc, the residual resistivity ratio RRR on the percentage ratio of components and the thin film thickness WSi are presented.