Исследование скорости осаждения ультратонких сверхпроводящих пленок WSi при варьировании энергии частиц осаждаемого материала

Ключевые слова:

Аннотация

В работе представлены эксперименты по определению влияния потенциала смещения на подложке, температуры подложки и пиковой мощности импульсного распыления, которая является эквивалентом ионизации, мишени вольфрама,на скорость осаждения пленок W, Si и WSi. Полученные результаты являются основой для воспроизводимого процесса формирования ультратонких пленок WSi.

Keywords:

Abstract

Experiments are performed to determine the influence of the bias potential on the substrate, the substrate temperature and the peak power of the pulsed sputtering, which is the equivalent of ionization, of the tungsten target, on the deposition rate of the W, Si, and WSi films. The obtained results are the basis for the reproducible process of ultrahigh WSi films formation.