Разработка подложкодержателя с нагревом для установки магнетронного распыления
Моисеев К.М., Хыдырова С., Кулаков В. А., Романов С. С., Мавлявиев Т. И., Попков М. Г. , Фетисов И. С.
Ключевые слова: МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ, ТОНКИЕ ПЛЁНКИ, НАГРЕВ ПОДЛОЖКИ, СТЕПЕНЬ КРИСТАЛЛИЧНОСТИ, ПОДЛОЖКОДЕРЖАТЕЛЬ, ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ НАГРЕВ
Аннотация
Известно, что как сверхпроводящие плёнки Nb3Ge, Nb3Al, Nb3Si, V3Si, так и прозрачные проводящие плёнки ITO необходимо формировать при высоких температурах подложки для обеспечения кристалличности структуры.Для повышения степени кристалличности формируемых плёнок разработан подложкодержатель, обеспечивающий нагрев до температуры 600°C с помощью керамического ИК излучателя. Для защиты нагревателя от запыления и снижения потерь тепла спроектирован рефлектор. Температура подложкодержателя и нагревателя контролируется термопарами типа К. Экспериментально установлено, что разработанная конструкция обеспечивает температуру на пластине подложкодержателя 600°C при напряжении питания 170 В. Обнаружено, что температура заслонок магнетронов в данных условиях составляет 200°C, а температура вала вращения подложкодержателя 110°C.
Development of a heated substrate holder for magnetron sputtering setup
Moiseev K.M., S.Hydyrova, V.A. Kulakov, S.S. Romanov, T.I. Mavliaviev, M.G. Popkov, I.S. Fetisov
Keywords: MAGNETRON SPUTTERING, THIN FILMS, SUBSTRATE HEATING, DEGREE OF CRYSTALLINITY, SUBSTRATE HOLDER, HIGH TEMPERATURE HEATING
