Разработка комплекса для позиционирования и обработки подложек в вакууме
Купцов А.Д., Сидорова С.В., Дьячков Г. А., Руденко А. М.
Ключевые слова: ИОННАЯ ОБРАБОТКА, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ, ВАКУУМ, ПОДЛОЖКА, ИСТОЧНИК ИОНОВ
Аннотация
Благодаря уникальным свойствам, кардинально отличающимся от свойств массивных материалов, тонкие пленки толщинами до 1 мкм находят применение в ключевых отраслях промышленности: микроэлектроника, оптика, фотоника. Тонкие пленки являются функциональными слоями устройств, обеспечивая необходимые выходные параметры. Важным этапом технологии формирования тонкопленочных покрытий является обеспечение их высокой адгезии к подложке или предыдущему слою. Для обеспечения высокой адгезии применяются ионные технологии.Целью работы является разработка системы ионной обработки и формирования тонкопленочных слоев в вакууме.
Разработанный комплекс для позиционирования и обработки подложки реализован на базе установки МВТУ-11-1МС, расположенной на кафедре «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им. Н.Э. Баумана. Движение источника обеспечено за счет гибкого сильфона и передачи винт-гайка, которые посредством шагового двигателя, управляемого системой автоматизированного управления, перемещают источник ионов, обеспечивая равномерную (до 10 %) обработку подложки диаметром до 100 мм. Точность и надежность выполнения цикла происходит при контроле концевыми механическими и оптическими датчиками.
Система для изменения расстояния основана на электрическом поступательном приводе, установленном между подложкодержателем и верхним фланцем вакуумной камеры. Возможность изменения расстояния между источником и подложкой обеспечивается без разгерметизации камеры.
Development of a complex for positioning and processing substrates in vacuum
Kuptsov A.D., Sidorova S.V., G.A. Dyachkov, A.M. Rudenko
Keywords: ION PROCESSING, THIN FILMS, VACUUM, SUBSTRATE, ION SOURCE
