Проект экспериментальной установки по получению криогенных мишеней из ксенона и криптона

Ключевые слова: МОНОДИСПЕРСНЫЕ ЧАСТИЦЫ, КРИОГЕННАЯ ТЕХНИКА, КСЕНОН, КРИПТОН, КРИОГЕННЫЕ МИШЕНИ

Аннотация

В связи с активным развитием полупроводниковой промышленности появилось потребность в увеличении плотности насыщения микросхем полупроводниковыми элементами. В настоящее время в литографическом процессе используются источники излучения с длиной волны λ=0,248 мкм.
Одним из способов решения этой проблемы является использование для засветки фотошаблона жёсткого ультрафиолета – EUV (Extreme ultraviolet) с длиной волны λ ≈ 8–13 нм. Это означает, что при тех же размерах микросхемы можно в 20 раз увеличить плотность её насыщения полупроводниковыми элементами. Источником стабильного EUV излучения может служить плазма, получаемая в результате взаимодействия мощного лазера (0,1-1 ТВт, 1000 нм, 100 Гц) с твёрдыми криогенными мишенями из инертных газов (криптона или ксенона). Такие мишени обладают большим коэффициентом выхода EUV излучения и не загрязняют оптику.
Для исследования проблем создания подобных мишеней разработан проект экспериментальной установки.  Установка состоит из следующих частей: вакуумной камеры, системы очистки и подачи газа, криогенной системы, системы генерации монодисперсных частиц, вакуумной системы, системы метрологии.
Инертный газ ксенон или криптон, предварительно сжижается при помощи криогенный системы и под давлением поступает в систему генерации монодисперсных капель. На выходе из системы генерации образуется тонкая капиллярная струя, на которую накладывается внешнее возмущение струя разбивается на одинаковые монодисперсные капли. Пролетая затем ряд дополнительных вакуумных камер капли за счёт испарения становятся твёрдыми и поступают в камеру взаимодействия с лазерным излучением. С помощью вакуумной системы в вакуумных камерах можно изменять давление от атмосферного давления до давления тройной точки.

Keywords: CRYOGENICS TARGETS, XENON, KRYPTON, MONODISPERS PARTICLES

Abstract