Модернизация магнетронного узла установки ВУП-11М для получения кристаллических плёнок
Моисеев К.М., Хыдырова С., Гусейнов Б. Р. , Лысов Л. Е.
Ключевые слова: МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ, ТОНКИЕ ПЛЁНКИ, КРИСТАЛЛИЧНОСТЬ, МАГНИТНОЕ ПОЛЕ, РАЗБАЛАНСИРОВАННЫЙ МАГНЕТРОН
Аннотация
Тонкие плёнки материалов Nb3Ge, Nb3Si, Nb3Al обладают высокими сверхпроводящими свойствами в кристаллическом состоянии со структурой типа А15. Кристаллические плёнки при магнетронном распылении преимущественно формируют при нагреве подложки, однако для получения фазы А15 необходим нагрев до ~900℃. Альтернативным способом повышения кристалличности структуры, неизученным для плёнок А15, является использование разбалансированных магнетронов, что предлагается реализовать для магнетронов NE-50 на установке ВУП-11М посредством изменения индукции магнитной системы.В работе измерены ВАХ магнетрона при давлении от 0,2 до 0,8 Па с мишенями Nb, а также измерено магнитное поле магнетрона. Проведено моделирование магнитного поля в пространстве в зависимости от индукции и диаметра центрального магнита, а также расстояния до подложки, на основании которого определены требуемые параметры центрального магнита для разбалансировки магнетрона.
Upgrading the magnetron unit of the VUP-11M setup for crystalline superconducting films fabrication
Moiseev K.M., S.Hydyrova, Guseynov B. R, Lysov L.E.
Keywords: MAGNETRON SPUTTERING, THIN FILMS, CRYSTALLINITY, MAGNETIC FIELD, UNBALANCED MAGNETRON
