Вакуумное ионно-плазменное травление при формировании элементов микроэлектроники
Сидорова С.В., Пименов И. Е.
Ключевые слова: вакуумные технологии, ионно-плазменные технологии, ионное травление, формирование топологии
Аннотация
В современном мире устройства микроэлектроники применяются повсеместно от бытовых приборов до сложных технических систем. Обширной областью применения микроэлектроники, планарных технологий, является телекоммуникация. Устройства приема-передачи информации содержат множество функциональных компонентов, например, фильтры частот, антенны, диплексеры, смесители, усилители, переключатели. При производстве этих элементов важна высокая точность геометрических размеров, равномерная толщина, чистота покрытий и адгезивные свойства.В процессе производства компонентов систем телекоммуникации для создания топологий устройств применяются методы вакуумного осаждения и травления материалов, а также фотолитография. Для металлизации применяется метод магнетронного распыления, термического испарения, электронно-лучевого испарения и др. Методы травления отвечают за соблюдение допуска на геометрию топологии. Жидкостные методы позволяют быстро проводить процесс, однако явление бокового протрава сильно влияет на геометрические параметры. Поэтому при изготовлении ответственных элементов применяют метод ионного травления. Направленный плазменный разряд позволяет исключить боковой протрав и обеспечивает равномерность травления по всей поверхности.
Целью работы является исследование процесса ионно-плазменного травления в вакууме слоев металлов.
В результате проведенной работы отработаны режимы ионно-плазменного травления и получены зависимости неравномерности глубины травления слоя меди от технологических режимов. Полученные результаты дополнены моделированием процесса ионного травления.
Vacuum ion-plasma etching in the formation of microelectronics elements
Sidorova S.V., I.E. Pimenov
Keywords: vacuum tenologies, ion-plasma technologies, ion etching, topology formation
