Оценка влияния предварительной обработки на формирование тонкопленочных покрытий с малыми значениями остаточных напряжений

Ключевые слова: ионно-плазменные технологии, распыление, остаточные напряжения

Аннотация

Остаточным напряжениям подвержены однослойные и многослойные тонкие пленки. Многослойные кластеры позволяют обеспечить требования по надежности и функциональному назначению формируемых изделий. При этом последовательность пленок металл-диэлектрик-полупроводник толщиной от нанометров до микрометров подвержены влиянию остаточных напряжений, распределенных как в объеме структуры, так и на границах раздела пленок и подложки. Выделяют внешние и внутренние факторы возникновения напряжений, например, несоответствие кристаллической решетки подложки и пленки. Наличие напряжений не увеличивает трудозатраты технологического процесса, но релаксация напряжений может вызывать деструкцию покрытий, что приводит к ухудшению свойств и возможному отсутствию необходимых характеристик изделия.
Существуют научно-исследовательские и технологические решения для изучения физико-математической модели распределения напряжений. Влиять на уменьшение остаточных напряжений можно с помощью подбора режимов формирования текущего и обработки предыдущего слоев.
Целью работы является исследование процесса ионно-плазменной подготовки подложки для формирования многослойных тонкопленочных покрытий с малыми значениями остаточных напряжений.
Работа направлена на отработку технологических принципов и решений для подготовки подложки к формированию мультислоев тонкопленочных покрытий, а именно: очистка подложек ситалла и гибких эластомеров ионно-плазменным способом с последующим ассистированием. Качественный показатель степени очистки измерялся на гониометре. Разрушающий контроль адгезии проводился после релаксации структуры.

Keywords: ion-plasma technologies, sputtering, residual stresses

Abstract