Разработка технологической модели изготовления тонких пленок оксида цинка с фиксированными значениями диэлектрической проницаемости

Ключевые слова: математическая модель; магнетронное распыление; тонкие пленки; оксидцинка; диэлектрическая проницаемость; уравнение регрессии

Аннотация

В данной статье разработана математическая модель, связывающая технологические параметры магнетронного распыления с комплексной диэлектрической проницаемостью тонких пленок оксида цинка. Показаны вычислительные процедуры, для расчета коэффициентов уравнения регрессии. Описано оборудование для получения тонких пленок оксида цинка, методом реактивного магнетронного распыления.

Keywords: mathematical mode, magnetron sputtering, thin film, zinc oxide, dielectric permeability, regression equation

Abstract

In this article the mathematical model connecting technological parameters of magnetron sputtering with complex permittivity of thin films of zinc oxide is developed. The computational procedures for calculating the coefficients of the regression equation are shown. The equipment for the production of thin films of zinc oxide by the method of reactive magnetron sputtering is described.