PECVD оборудование для нанесения Si3N4 – SiO2

Ключевые слова:

Аннотация

В работе представлено описание методов химического осаждения из газовой фазы с активацией плазмой емкостного разряда (в англоязычной литературе - Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)) и химического осаждения из газовой фазы с активацией
плазмой высокой плотности (в англоязычной литературе – High Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDPCVD)). Выполнено сравнение основных технологических характеристик, достоинств и недостатков таких систем, а также возможностей их технологического применения.

Keywords:

Abstract

The description of Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and High Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDPCVD) methods are provided. The comparison of the main technological characteristics, advantages and shortages of such systems, as well as the possibilities of their technological usage is carried out.