Оптическая спектроскопия полупроводниковых пленок MoS2

Ключевые слова:

Аннотация

Представлены результаты исследования тонких пленок дисульфида молибдена, формируемых методом магнетронного распыления на подложках из кремния, методом оптической спектроскопии. Расчетно-графическим методом определены значения ширины запрещенной зоны (ШЗЗ) полученных образцов.

Keywords:

Abstract

The results of studying the optical properties of molybdenum disulphide thin films formed by the magnetron sputtering MoS2 target on silicon substrates are presented. Optical band gap energy (Eg) is calculated by estimating-plotting method.