Исследование технологических и конструктивных особенностей мемристоров, изготовленных магнетронным распылением

Ключевые слова:

Аннотация

Показана возможность формирования мемристоров на основании активного слоя TiO2/ТiOх методом реактивного магнетронного распыления. Показана зависимость Получен мемристор с отношением сопротивлений в высокоомном состоянии, почти в два раза
превышающем сопротивление в низкоомном состоянии.

Keywords:

Abstract

The possibility of memristors formation on the basis of the active layer TiO2 / TiOx by reactive magnetron sputtering is shown. The dependence is given. A memristor is obtained with a resistance ratio in the high-resistance state almost two times higher than the resistance in the low-resistance state.