Группа установок для глубокого травления кремния, мелкощелевой изоляции, удаления фоторезиста и атомно-слоевого осаждения

Одиноков В.В., Панин В.В., Долгополов В.М. , Иракин П.А.

Ключевые слова:

Аннотация

Представлена следующая группа установок: установка глубокого анизотропного травления кремния, установка травление гладких траншей длящелевой изоляции, установка атомно-слоевое осаждение с плазменной активацией и установка плазменной удаления фоторезиста и полимеров. Рассмотрены принцип действия и структурная схема установок

Group of installations for deep silicon etching, shallow trench isolation, polymer and photoresist plasma striping and atomic layer deposition

Odinokov V.V., Panin V.V., V.M. Dolgopolov, P.A. Iraqin

Keywords:

Abstract

The following group of installations is presented: installation of deep silicon anisotropic etching, installation of etching of smooth trenches for isolation, installation of atomic layer deposition with plasma activation and installation of polymer and photo resist plasma striping. The principle of operation and structural scheme of installations are considered

Группа установок для глубокого травления кремния, мелкощелевой изоляции, удаления фоторезиста и атомно-слоевого осаждения

Скачать статью

Группа установок для глубокого травления кремния, мелкощелевой изоляции, удаления фоторезиста и атомно-слоевого осаждения

Аннотация

Group of installations for deep silicon etching, shallow trench isolation, polymer and photoresist plasma striping and atomic layer deposition

Abstract

Контакты

Меню

Социальные сети