Группа установок для глубокого травления кремния, мелкощелевой изоляции, удаления фоторезиста и атомно-слоевого осаждения

Ключевые слова:

Аннотация

Представлена следующая группа установок: установка глубокого анизотропного травления кремния, установка травление гладких траншей длящелевой изоляции, установка атомно-слоевое осаждение с плазменной активацией и установка плазменной удаления фоторезиста и полимеров. Рассмотрены принцип действия и структурная схема установок

Keywords:

Abstract

The following group of installations is presented: installation of deep silicon anisotropic etching, installation of etching of smooth trenches for isolation, installation of atomic layer deposition with plasma activation and installation of polymer and photo resist plasma striping. The principle of operation and structural scheme of installations are considered