Оборудование для низкотемпературного плазмохимического осаждения диэлектрических слоев с источником высокоплотной плазмы ICPCVD на пластины диаметром до 300мм

Ключевые слова: ICPCVD, низкотемпературное осаждение, диаметр пластин 300 мм.

Аннотация

Широкий спектр изолирующих тонких пленок используется в современных СБИС, обеспечивая электрическую изоляцию между проводящими слоями внутри устройства и в качестве финишного пассивирующого слоя. Наибольшее распространение получили диоксид (SiO2), нитрид (Si3N4) и оксинитрид кремния (SiON). Особый интерес вызывает способ осаждения высокоплотных диэлектрических пленок при низких температурах (менее 150°С), в особенности для устройств чувствительных к температуре, как например органические светодиоды (OLED). Для этой задачи широко используется технология плазмохимического осаждения из газовой фазы с источником высокоплотной плазмы (ICPCVD).
Свойства и качество диэлектрических пленок, получаемых методом ICPCVD широко известны. Однако решение проблемы равномерности при переходе на пластины диаметром до 300 мм является непростой задачей.
Целью данной работы была разработка реактора с уникальной системой равномерной подачи газа для низкотемпературного плазмохимического осаждения диэлектрических слоев на пластины диаметром до 300 мм.

Keywords: ICPCVD, low temperature deposition, plate diameter 300 mm.

Abstract

A wide range of insulating thin films is used in modern VLSI, providing electrical insulation between the conductive layers inside the device and as a finish passivating layer. The most widely used are silicon dioxide(SiO2), nitride(Si3N4) and oxynitride(SiON). Of particular interest is the method of deposition of high-density dielectric films at lower temperatures (less than 150°C), especially for temperature-sensitive devices, such as organic light emitting diodes (OLED). For this task, the technology of chemical vapor deposition with inductively coupled plasma source (ICPCVD) is widely used. The properties and quality of dielectric films obtained by ICPCVD are widely known. However, solving the problem of uniformity when switching to plates with a diameter of up to 300 mm is not an easy task. The aim of this work was to develop a reactor with a unique uniform gas supply system for low-temperature plasma-chemical deposition of dielectric layers on wafers with a diameter of up to 300 mm.