Ионно-плазменное оборудование для глубокого анизотропного травления кремния в технологиях формирования глубоких отверстий
Одиноков В.В., Шубников А.В., Долгополов В.М. , Иракин П.А., Варакин В.М. , Мицын Н.Г.
Ключевые слова:
Аннотация
При изготовлении трехмерных структур с применением технологии формирования глубоких отверстий в кремнии (through-siliconvias, TSV), а также при изготовлении микроэлектромеханических систем (МЭМС) широкое распространение получил процесс глубокого анизотропного травления кремния с применением попеременных процессов травления и пассивации («Bosch»-процесс). В настоящее время технология формирования глубоких отверстий в кремнии (through-siliconvias, TSV) представляет большой интерес для отечественной икроэлектроники. Однако необходимое промышленное оборудование для пластин 200 мм может быть представлено только импортными образцами ведущихразработчиков (LAM, SPTS) и имеет большую стоимость.
Целью данной работы была разработка реактора для глубокого травления кремния на пластинах диаметром до 200 мм, аналогичного по своим характеристикам импортному и разработка технологии глубокого травления кремния для ее применения в изготовлении трехмерных TSV-структур.
Ion-plasma equipment for deep anisotropic silicon etching in deep hole formation technologies.
Odinokov V.V., A.V. Shubnikov, V.M. Dolgopolov, P.A. Iraqin, V.M. Varakin, N.G.Mitsyn
Keywords: