Ионно-плазменное оборудование для глубокого анизотропного травления кремния в технологиях формирования глубоких отверстий

Одиноков В.В., Шубников А.В., Долгополов В.М. , Иракин П.А., Варакин В.М. , Мицын Н.Г.
Ключевые слова:

Аннотация

При изготовлении трехмерных структур с применением технологии формирования глубоких отверстий в кремнии (through-siliconvias, TSV), а также при изготовлении микроэлектромеханических систем (МЭМС) широкое распространение получил процесс глубокого анизотропного травления кремния с применением попеременных процессов травления и пассивации («Bosch»-процесс). В настоящее время технология формирования глубоких отверстий в кремнии (through-siliconvias, TSV) представляет большой интерес для отечественной икроэлектроники. Однако необходимое промышленное оборудование для пластин 200 мм может быть представлено только импортными образцами ведущих
разработчиков (LAM, SPTS) и имеет большую стоимость.
Целью данной работы была разработка реактора для глубокого травления кремния на пластинах диаметром до 200 мм, аналогичного по своим характеристикам импортному и разработка технологии глубокого травления кремния для ее применения в изготовлении трехмерных TSV-структур.

Ion-plasma equipment for deep anisotropic silicon etching in deep hole formation technologies.

Odinokov V.V., A.V. Shubnikov, V.M. Dolgopolov, P.A. Iraqin, V.M. Varakin, N.G.Mitsyn
Keywords:

Abstract

Process of deep anisotropic silicon etching with alternating steps of etching and passivation (“Bosch” process) is widely used for forming three-dimensional structures with throughsilicon-vias (TSV), as well as in the manufacturing of micro electromechanical systems (MEMS). The essence of the process lies in alternating steps of reactive-ion etching of silicon (usually SF6) and passivation of the surface (typically by using C4F8) Currently, technology of deep holes etching is of great interest to the domestic microelectronics. However, the necessary industrial equipment for 200 mm wafers can be represented only by imported models of leading developers (LAM, SPTS) and is very expensive. The aim of this work was to develop a reactor for deep silicon etching on plates with diameter of up to 200 mm, similar in their characteristics with import and development of technology deep silicon etching for its use in the manufacture of three-dimensional TSV assembly.