18-я международная научно-техническая конференция «Вакуумная техника, материалы и технология»
Конференция пройдёт в городе Москве, ЦВК «Экспоцентр», павильон 5, с 9 по 11 апреля 2024 года. Конференция является частью деловой программы международной выставки вакуумного оборудования «VacuumTechExpo».
Научные направления конференции
- Физические явления в вакууме;
- Вакуумные системы, устройства и технологическое оборудование;
- Тонкопленочные покрытия и наноструктуры;
- Вакуумные технологии и аэрокосмический комплекс;
- Биомедицинские вакуумные технологии;
- Криогенная и криовакуумная техника;
- Электровакуумные приборы и устройства.
Важные даты
- 12 февраля 2024 года - начало приёма заявок на участие в работе конференции;
- 25 марта 2024 года - окончание приема заявок на участие в работе конференции и тезисов докладов для подготовки программы конференции;
- 9 апреля 2024 года - начало работы конференции;
- 11 апреля 2024 года - окончание работы конференции;
- 15 мая 2024 года - окончание приема полных текстов докладов и документов для публикации материалов в сборнике трудов.
- 22 июня 2024 года - публикация полных текстов статей в журнале Вестник РВО
Программа конференции
09 апреля 2024г.
12:15 – 14:00
1. Российское научно-техническое вакуумное общество им. академика С.А.Векшинского и инновационное развитие России
С.Б.Нестеров
2. Лучшие инновационные продукты выставки «VacuumTechExpo 2023»
С.Б. Нестеров
3. Нужно ли России своё вакуумное машиностроение?
Е.Н. Капустин, А.Е. Капустин
4. Влияние неравномерности параметров газа в отсеченном объеме на расчет характеристик двухроторных вакуумных насосов внешнего сжатия
А. А. Райков, А. В. Бурмистров, С. И. Саликеев
5. Автоэмиссионные характеристики и структура углеродсодержащих катодных материалов
Д.М. Фунг, Е.П. Шешин
6. Разработка универсального автоматизированного транспортируемого рабочего эталона модульного типа для области вакуумных измерений
А.А. Чернышенко
7. Газовый микронасос на основе поверхностных акустических волн
В.В. Косьянчук
8. Событийное молекулярно-динамическое моделирование течения смеси газов В турбомолекулярном насосе
А.Н. Якунчиков
9. Влияние проточной части молекулярного насоса на откачную характеристику комбинированного турбомолекулярного вакуумного насоса
Н.К. Никулин, Ю.А. Шостак, Е.В. Свичкарь
10. Обеспечение ювенильной поверхности подложки при криогенных температурах в вакууме
Л.Л. Колесник, Ю.В. Панфилов, Г.М. Сокол, А. Тымина, И.А. Родионов, А.С. Бабурин
14:00 - 18:00
Секция 2.
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И ФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ. ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ.
1. Стойкость к коррозии оболочек ТВЭЛов в пароводяной смеси высоких параметров
В.К. Егоров, Е.В. Егоров, Т.В. Сеткова
2. Концентрация и температура электронов в процессе магнетронного распыления короткими импульсами высокой мощности
В.О. Оскирко, А.Н. Захаров, А.П. Павлов, М.В. Шандриков, М.И. Ажгихин, А.А. Соловьев
3. Скорость напыления и плотность ионного тока на подложку в процессе магнетронного распыления короткими импульсами высокой мощности
В.О. Оскирко, А.Н. Захаров, С.В. Работкин, В.А. Семенов, А.С. Гренадеров, А.П. Павлов
4. Изучение влияния мощности магнетронного разряда на температуру охлаждаемой и неохлаждаемой титановой мишени
Г.В. Качалин, К.С. Медведев, В.А. Касьяненко, А.Ф. Медников
5. Шероховатость тонких пленок алюминия, сформированных методом магнетронного распыления
Г.А. Пименов, Д.Е. Шашин
6. Особенности формирования многослойных структур методом магнетронного распыления
А.Л. Романов, Д.Е. Шашин, А.Д. Дьячков, К.А. Волков
7. Установка магнетронного распыления и ионного травления УРМ 3.279.036
В.А. Парсаев, Н.И. Сушенцов, Д.Е. Шашин
8. Получение графитовых тонких пленок методом высокомощного импульсного магнетронного распыления
Л.Л. Колесник, Лю Хаоцэ, Ли Чунцун, Мью Ти Ха
9. Анализ молекулярных загрязнений при высоковакуумной откачке оборудования, работающих при низких температурах
Аунг Лин Хтай, Мьо Чжо Хлаинг, Вей Мо Линн, Л.Л. Колесник
10. Исследование влияния расхода реактивного газа на физические свойства пленок оксидов металлов при реализации технологии магнетронного распыления
А.Н. Смирнов, Д.Е. Шашин
11. Влияние отжига на фотокаталитическую активность тонких плёнок диоксида титана
А.Д. Дьячков, Д.Е. Шашин, А.Л. Романов
12. Разработка магнетронной распылительной системы с цилиндрической мишенью
А. И. Беликов, Н. М. Синявин, Г. В. Кипов
13. Влияние технологических режимов на характеристики изделий на основе LTCC
С.А. Хохлун, А.И. Сидоров, С.В. Сидорова
14. Ионно-плазменные технологии в производстве элементов связи и передачи информацииА.М. Руденко С. В. Сидорова
15. Модернизация лабораторного стенда нанесения фоторезиста центрифугированием
Г.А. Дьячков, С.В. Сидорова
16. Поверхностное сопротивление при механических нагрузках пленок оксида In-Sn, сформированных магнетронным распылением
П.В. Пащенко, А.Ф. Белянин, Е.Р. Павлюкова, Н.И. Сушенцов
17. Стенд поляризации ПВДФ пленки в плазме тлеющего разряда
Б. А. Басов, К. Т. Макарова, К. М. Моисеев, А. С. Осипков
18. Исследование газовыделения катодных мишеней для магнетронного распыления дисульфида молибдена
А.И. Беликов, Синьсинь Ван, Н.А. Хлобыстин, А.И. Илларионов
19. Модернизация магнетронного узла установки ВУП-11М для получения кристаллических плёнок
C.Ю. Хыдырова, Б.Р. Гусейнов, Л.Е. Лысов, К.М. Моисеев
20. Компактные мобильные и лабораторные установки по синтезу тонких эпитаксиальных структур.
А. Ю. Гойхман
21. Моделирование процесса осаждения покрытия на различные детали проекта ИТЭР
А.И. Беликов, О.Э. Алиханов, Р.И. Зайнуллин, А.Р. Мишкинис
10 апреля 2024г.
10:15 – 14:00
Секция 3.
НАНОТЕХНОЛОГИЯ И БИОТЕХНОЛОГИЯ
1. Разработка электродного материала гибридного конденсатора по тонкопленочной технологии
В.В. Слепцов, А.О. Дителева, Д.Ю. Кукушкин, Р.А. Цырков
2. Экспериментальная установка для исследования конверсии углеводородов в гетерофазной электронно-пучковой плазме
Ч.В. Дык, М.Н. Васильев, Т.М. Васильева, М.К. Никитин
3. Изменение физико-химических свойств и биосовместимости поверхности полиэтилентерефталата путем обработки в гибридной плазме форвакуумного давления
Т.М. Васильева, Е.Д. Никольская, М.Н. Васильев, М.Р. Моллаева, М.В. Чиркина, М.Б. Сокол, Н.Г. Яббаров, Т.Г. Шикова
4. Электродные материалы на основе углеродных и металлорганические каркасных структур с встроенными химически активными и функциональными элементами
В.В. Слепцов, А.О. Дителева, Д.Ю. Кукушкин, Р.А. Цырков, Д.Г. Муратов, Л.В. Кожитов, Зорин А.В.
5. Функционализация поверхности трековых мембран в низкотемпературной плазме
Л.И. Кравец, А.Б. Гильман, В.М. Елинсон
6. Антибактериальные наноразмерные алмазоподобные пленки, легированные медью
Ф.Г.Нешов, О.В.Рябухин
7. Формирование пленок металлов и их соединений вакуумными способами
Д.Е. Шашин, Н.И. Сушенцов
8. Функциональные слои для гибкой прозрачной электроники
А.Х. Абдуев, В.В. Беляев, Д.В. Генералов, Д.В. Николаева, В.В. Саенко, Е.А Сметанин, Хань Ци
9. Влияние ионно-плазменной обработки на характеристики эластичного сегнетоэлектрического датчика температуры
А.А. Фельде, В.С. Мальцев, С.В. Сидорова
10. Интегрирование островковых тонких пленок в датчики полей и сред
С.В. Кирьянов, Е.С. Щербак, А.М. Наумова, С.В. Сидорова
11. Воздействие тлеющего разряда постоянного тока на химическую структуру и свойства поверхности пленок полифениленоксида
А.В. Зиновьев, М.С. Пискарев, А.Б. Гильман, Д. А. Сырцова, Е.А. Скрылева, Б.Р. Сенатулин, А.К. Гатин, А. Ю. Алентьев, А.А. Кузнецов
12. Исследование влияния плазменной обработки на структуру поверхности оксидов металлов и полупроводников
В. С. Мальцев, А. Д. Купцов, С.В. Сидорова
13. Методика Измерения пьезомодуля ПВДФ пленок методом «трансформатора»
Д.П. Еманов, Э.Р. Исхакова, К.М. Моисеев, А.С. Осипков
14. Измерение пьезомодуля D33 ПВДФ пленок методом «падающего шарика»
Д. П. Еманов, К. М. Моисеев, А.С. Осипков
15. Поляризация полимерных сегнетоэлектрических ПВДФ пленок на стенде плазменной поляризации МРС
Б.А. Басов, К.Т. Макарова, К.М. Моисеев, А.С. Осипков
16. Способ формирования островковых плёнок для конденсаторов повышенной ёмкости
И.Е. Пименов, С.В. Сидорова
17. Оценка неравномерности толщины тонкопленочных покрытий, сформированных методом магнетронного распыления
А.Д. Купцов, С.В. Сидорова
18. Изменение контактных и адгезионных свойств пленок алифатического поликетона, модифицированных в плазме, при хранении в различных условиях
М.С. Пискарев, А.В. Зиновьев А.Б. Гильман, А.С. Кечекьян, А.А. Кузнецов
19. Введение магнетронным распылением титана в нанопустоты опаловых матриц
В.В.Борисов, А.Ф.Белянин, П.В.Пащенко, Н.И.Сушенцов, М.А.Тимофеев
20. Исследование антибактериальных свойств фторуглеродных покрытий, созданных на полимерных материалах методами ионно-плазменной технологии при атмосферном давлении
П.А. Щур, А.В Шведов, Т.В. Ходырев, М.Р. Войтухов, Д.В. Гринько
10 апреля 2024г.
14:00 – 15:30
Секция 4.
ВАКУУМНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС
1. Существующие и перспективные стенды для термовакуумных испытаний российской космической отрасли
С.Б. Нестеров, А.А. Филатов, А.А. Моисеев, П.Г. Смирнов
2. Перспективы создания и использования цифрового двойника стенда термовакуумных испытаний ВК600/300
А.А. Филатов, П.Г. Смирнов, А.А. Моисеев, В.В. Бояркин, Е.В. Ретякова
3. Лампа ДКСРМ-55000: моделирование работы и перспективы использования
А.А. Филатов, П.Г. Смирнов, А.А. Моисеев, В.В. Бояркин, Е.В. Ретякова, Р.В. Ермоленко, В.И. Холодилов
4. Повышение эксплуатационных и метрологических характеристик термовакуумной камеры ВК-48 путём создания ее цифрового двойника.
А.Ю. Кочетков
5. Некоторые результаты работы первого в мире сканирующего зондового микроскопа - спутника Земли в вакууме на высотах около 500 км.
Б.А. Логинов, Ю.В Хрипунов., М.А. Щербина, А.А. Смирнов, Н.С. Нехаенко, П.А. Гранаткин, H.Y.H. Hedeya, Н. Калназарова, Е.О. Петряев, C.K. Tanasa, Х. Ахророва, А.К. Маккой, Д.Р. Айнулова, М.Н. Плужник, А.А. Мизгайло, В.А. Бобарыкина, М.В. Мамикоян, А.Р. Измайлова
6. Контроль молекулярного (органического) загрязнения внутренней поверхности и внутреннего оборудования вакуумных систем
Е.В. Жировов, Д.Н. Михайлов, В. А. Богачев, С. Б. Нестеров
Требования к материалам
Представляемые на конференции материалы должны содержать новые научные результаты, полученные лично авторами.
Структура публикации
Объем тезисов не более 1 страницы. Рекомендуемый объем статьи от 5 до 7 страниц.
Рекомендуется придерживаться следующей структуры статьи:
- вводная часть (актуальность, существующие проблемы);
- постановка и описание задачи;
- методика исследования;
- изложение и обсуждение основных результатов;
- заключительная часть (предложения, выводы).
Состав подаваемых материалов
Для включения в программу конференции в организационный комитет конференции подаются:
- тезисы, оформленные в соответствии с правилами оформления;
- сведения об авторах и докладчике.
Для публикации в сборнике трудов в организационный комитет конференции подаются:
- статья, оформленная в соответствии с правилами оформления;
- файлы иллюстраций;
- экспертное заключение о возможности опубликования материалов в открытой печати, оформленное в организации, где выполнялась работа;
- лицензионное соглашение на передачу права опубликования статьи, оформленное на ООО «Электровакуумные технологии»;
- согласие на обработку персональных данных, оформленное на ООО «Электровакуумные технологии».
Лицензионное соглашение оформляется на каждую подаваемую статью для всех авторов. Каждый автор статьи должен подписать свой экземпляр лицензионного соглашения.
Согласие на обработку персональных данных оформляется на каждого участника конференции.
Если автор представлен в нескольких статьях, то его согласие оформляется один раз.
Если автор уже участвовал в наших конференциях и подавал согласие об обработке персональных данных, то повторно оформлять согласие не требуется.
Как подготовить материалы к публикации
Для подготовки тезисов доклада и статьи необходимо использовать Microsoft Word 2010 или более новый. Формат файлов — docx.
Оформление текста статьи должно делаться с помощью стилий оформления, без использования кнопок форматирования текста, расположенных ленте инструментов программы.
Для подготовки текстов рекомендуется использовать подготовленный файл шаблона статьи. Он содержит уже настроенные стили и существенно сократит время, необходимое для подготовки материалов, как для авторов, так и для сборника в целом.
Ссылку для скачивания шаблона статьи вы найдете ниже, после описания правил форматирования.
Заголовок статьи
Заголовок статьи оформляется с использоваением стиля «Заголовок 2». Стиль настроен таким образом, что все буквы будут прописными вне зависимости от регистра набора.
Авторы статьи
Для указания авторов статьи используйте стиль «Авторы статьи».
Авторы статьи указываются как буквы инициалов и фамилия. Между инициалами и фамилией ставится пробел. Не указывайте здесь сведения о местах работы. Эта информация будет указана в конце, в соответствующем разделе.
Если авторов несколько, укажите их всех черех запятую.
Заголовок раздела статьи
Для заголовков разделов статьи используйте стиль «Раздел статьи». Это требование относится ко всем заголовкам разделов: аннотация, ключевые слова, сами разделы текста, литература, сведения об авторах.
Аннотация
Текст аннотации оформляется с использованием стиля «Аннотация».
Ключевые слова
Ключевые слова разделяются запятой. После ключевых слов точка не ставится.
Для оформления ключевых слов используйте стиль «Ключевые слова». Стиль настроен таким образом, что все буквы будут прописными вне зависимости от регистра набора. Тем не менее, просьба набирать ключевые слова прописными буквами (с нажатой клавишей Caps Lock). Это небходимо для правильной индексации статей.
Текст статьи
Для текста статьи необходимо использовать стиль «Основной текст».
Для формул необходимо использовать стиль «Формула».
Абзац после формулы, если формула не завершает предложения, не должен иметь отступа в первой строке. В этом случае используйте стиль «Основной текст после формулы».
Рисунки
Не допускается размещение рисунков по якорю и указание обтекания текстом. Для рисунка должны использоваться параметры разметки «В тексте». Рисунки должны иметь стиль «Рисунок».
Название рисунка оформляется стилем «Название рисунка». Название рисунка должно начинаться с его номера, предваряемого сокращением «Рис.». Между сокращением «Рис.» и номером рисунка должен быть пробел. Также должен быть пробел между номером рисунка и его названием. Если название рисунка состоит из одного предложения, точка в конце не ставится. Если название рисунка состоит из нескольких предложений, то точка не ставится в конце последнего предложения.
В том случае, если на рисунке есть номера позиций или обозначения, они должны быть раскрыты до названия рисунка.
Если вам необходимо разместить два рисунка рядом, используйте табличную разметку с невидимыми границами.
На все рисунки обязательно должны быть даны ссылки в тексте статьи. Рисунок должен располагаться после такой ссылки, но не далее следующей страницы.
Помимо расположения рисунка в тексте статьи каждый рисунок должен быть представлен отдельным файлом. Файлы с рисунками должны соответствовать требованиям:
- Растровые изображения: минимальное разрешение 600 dpi
- Векторная графика: в кривых в формате cdr, eps, svg.
Внутририсуночные надписи должны быть выполнены на русском языке, в одном стиле с основным текстом.
Изображения с экрана должны быть представлены с максимально возможным разрешением. При работе с ними необходимо обратить внимание на фон (картинка не должна быть тёмной) и чёткость изображения.
Нельзя использовать рисунки в формате Word, а также сохранённые из Wordа во внешний файл. Рисунок должен быть вставлен в Word из подготовленного по всем требованиям файла, а не наоборот.
Благодарности и источники финансирования
Если в статье необходимо дать ссылку на источник финансирования или выразить благодарность за помощь в подготовке результатов, сделайте это в конце статьи. Для этого используйте стиль «Источники финансирования».
Сведения об авторах
В конце статьи необходимо указать сведения об авторах:
- фамилию, имя, отчество — полностью;
- ученую степень, ученое звание (при наличии);
- номер ORCID (если у вас нет номер ORCID, его необходимо получить на сайте orcid.org; этот номер необходим для индексации материалах в международных базах статей);
- место работы;
- почтовый адрес (минимально город и регион, можно полностью);
- адрес электронной почты.