Материалы на основе твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия для экстремальной электроники: монокристаллы, эпитаксиальные пленки

Ключевые слова:

Аннотация

Соединения, образующиеся в системе SiC-AlN, отличаются от традиционных полупроводников большей стойкостью к механическому и радиационному воздействиям. В них путем изменения состава возможно в широких пределах управлять оптическими, электрическими и структурными свойствами. Поэтому исследования, направленные на изучение механизма формирования новых широкозонных полупроводниковых твердых растворов на основе SiC и AlN, зависимостей электрических, оптических, механических свойств, структуры и морфологии от методов их получения имеет важное практическое значение. В работе приведены результаты получения и исследования тонких пленок на основе твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Получение эпитаксиальных слоев этих материалов проводили методом магнетронного и ВЧ-магнетронного распыления. Полученные пленки (SiC)1-x(AlN)x, исследовались рентгенодифракционным методом (XRD). Замечено, что в исследованных образцах структура твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x при составе x=0.21 имеет меньшую кристалличность, чем при составе х=0.64.

Keywords:

Abstract

The compounds formed in the SiC-AlN system differ from traditional semiconductors in their greater resistance to mechanical and radiation effects. By changing the composition, it is possible to control optical, electrical and structural properties over a wide range. Therefore, research aimed at studying the mechanism of formation of new wide-gap semiconductor solid solutions based on SiC and AlN, dependencies of electrical, optical, mechanical properties, structure and morphology on the methods of their production is of practical importance. The paper presents the results of the preparation and study of thin films based on solid solutions (SiC) 1-x (AlN) x. The epitaxial layers of these materials were obtained by the method of magnetron and HF magnetron sputtering. The obtained films (SiC) 1-x (AlN) x, were studied by the X-ray diffraction method (XRD). It is noted that in the samples under study, the structure of the solid solution (SiC) 1-x (AlN) x with the сomposition x = 0.21 has a lower crystallinity than with the composition x = 0.64.