Исследование морфологии эпитаксиальных пленок (SiC)1-x(AlN)x, полученных методом магнетронного распыления

Ключевые слова:

Аннотация

В данной работе приведены результаты исследования свойств эпитаксиальных пленок (SiC)1-x(AlN)x  полученных магнетронным распылением составных мишеней SiC-AlN. Представлены результаты исследований методами рентгенодифрактометрии и атомносиловой микроскопии и I(V) спектроскопии слоев твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x  для определения оптимальных параметров роста. Начальная стадия поверхности пленок характеризуются аморфной структурой, с ростом толщины формируются монокристаллические островки с гексагональной структурой. I(V) спектры туннельного тока зонд-пленка имеют сложный характер с несколькими изломами.

Keywords:

Abstract

This paper presents the results of studying the properties of epitaxial (SiC) 1-x (AlN) x films obtained by magnetron sputtering of SiC-AlN composite targets. The results of X-ray diffraction and atomic-force microscopy studies and I (V) spectroscopy of (SiC) 1-x (AlN) x solid solution layers to determine the optimal growth parameters are presented. The initial stage of the film surface is characterized by an amorphous structure. Singlecrystal islands with a hexagonal structure are formed with the thickness growth, The I (V) spectra of the probe-film tunnel current are of complicated character with several kinks.