Установка вакуумного реактивного ионного травления алюминиевой металлизации Плазма ТМ 8

Одиноков В.В., Панин В.В., Шубников А.В., Долгополов В.М. , Иракин П.А.
Ключевые слова:

Аннотация

Представлена новая разработка ОАО “НИИ точного машиностроения” – установка реактивного ионного травления алюминиевой металлизации в плазме хлорсодержащих газов “Плазма ТМ 8”. Рассмотрено ее устройство и принцип работы. На установке проводились
процессы сухого травления алюминия в вакууме на кремниевых пластинах диаметром 100 и 150мм при различных технологических режимах.

“Plasma TM 8” plant for reactive ion etching of aluminum layers.

Odinokov V.V., Panin V.V., A.V. Shubnikov, V.M. Dolgopolov, P.A. Iraqin
Keywords:

Abstract

The new vacuum plant “Plasma TM 8” developed at JSC “Research Institute of Precision machine manufacturing” is described. Its assembly and working conditions are considered. This plant was used for reactive ion etching of aluminum layers on silicon wafers 100 and 150 mm diameter.