Получение пленок оксида индия-олова магнетронным распылением при комнатной температуре
Белянин А.Ф. , Сушенцов Н.И., Пащенко П. В., Тимофеев М. А., Гребенников Е.П.
Ключевые слова: ОКСИД ИНДИЯ-ОЛОВА, МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ, ПРОЗРАЧНЫЕ ПРОВОДНИКИ
Аннотация
Пленки оксида индия–олова (In–Sn) получали методом реактивного ВЧ-магнетронного распыления мишени из In-Sn c использованием установки SCM651 (Alcatel). Пленки наносили на подложки из стекла и полимерных материалов. Перед осаждением пленок оксида In–Sn на подложки из полимерных материалов магнетронным распылением наносили пленку Ti наноразмерной толщины. При формировании пленок оксида In–Sn использовалась раздельная подача Ar и O2. Температура подложки после завершения процесса не превышала 320 К. Были получены пленки толщиной ~200 нм, представляющие твердый раствор оксидов In и Sn, состава 90 мас.% In2O3 и 10 % SnO2. Пленки оксида In–Sn имели поверхностное сопротивление <100 Ом/□, коэффициент пропускания в видимой области длин волн составлял ~85–90%.Пленки осаждались как на вращающиеся, так и на неподвижные подложки, что позволяло получать рентгеноаморфные и формировать при комнатной температуре на неориентирующих подложках пленки с упорядоченным строением кристаллической фазы. Полученные пленки меняли свои свойства за счет изменения соотношения концентраций кристаллических и аморфных нанокластеров, составляющих материал. Изучено влияние на свойства пленок оксида In–Sn таких параметров процесса распыления, как расстояние от подложки до мишени, температура, мощность разряда, а также состав, давление и расход газовой фазы.
Preparation of indium-tin oxide films by magnetron sputtering at room temperature
А.F. Belyanin, N.I.Sushentsov, P.V. Paschenko, M.A. Timofeev, E.P. Grebennikov
Keywords: INDIUM-TIN OXIDE, MAGNETRON SPUTTERING, TRANSPARENT CONDUCTORS
