Формирование структур SiC/Siметодом замещения атомов и их использование для роста III-нитридов

Ключевые слова:

Аннотация

Рассмотрены особенности роста тонких плёноккарбида кремнияна кремнииметодом замещения атомов и продемонстрирована возможность получения низкодефектных слоев IIIнитридов при использовании подобных подложекSiC/Si.Предложен способ уменьшения локальных механических напряжений в подобных структурах, вызванных разницей в коэффициентах термического расширения материалов, путем предварительного формирования системы периодических порна подложке. Методом численного моделирования показана его эффективность.

Keywords:

Abstract

The workis devoted to the growth of thin SiC films on silicon by the method of atoms substitution and the possibility of obtaining low-defect III-nitride layers using such SiC/Si substrates is demonstrated. A method is proposed for reducing local mechanical stresses in such structures, caused by differences in coefficients of thermal expansion of materials.The method is based on preliminary formation of periodic system of pores, andits efficiency is shown by numerical simulation.